是和喇叭正好相反的一個(gè)器件(電→聲) 。

　　是聲音設(shè)備的兩個(gè)終端，咪頭是輸入，喇叭是輸出。

　　又名麥克風(fēng)，話筒，傳聲器，咪膽等。 
 

　　手機(jī)咪頭的分類：

　　1、從工作原理上分：炭精粒式、電磁式、電容式、駐極體電容式(以下介紹以駐極體式為

　　主)、壓電晶體式、壓電陶瓷式、二氧化硅式等

　　2、從尺寸大小分 ,駐極體式又可分為若干種 .

　　Φ9.7系列產(chǎn)品 Φ8系列產(chǎn)品 Φ6系列產(chǎn)品

　　Φ4.5系列產(chǎn)品 Φ4系列產(chǎn)品 Φ3系列產(chǎn)品

　　每個(gè)系列中又有不同的高度

　　3、手機(jī)從咪頭的方向性，可分為全向，單向，雙向(又稱為消噪式)

　　4、從極化方式上分，振膜式 ,背極式 ,前極式

　　從結(jié)構(gòu)上分又可以分為柵極點(diǎn)焊式 ,柵極壓接式 ,極環(huán)連接式等

　　5、從對外連接方式分

　　普通焊點(diǎn)式： L型

　　帶 PIN腳式： P型

　　同心圓式： S型
 

　　手機(jī)咪頭的主要技術(shù)指標(biāo)：

　　手機(jī)咪頭的測試條件 ;MIC 的使用應(yīng)規(guī)定其工作電壓和負(fù)載電阻 ,不同的使用條件 ,其靈敏度的大小有很大的影響

　　電壓 電阻

　　1、消耗電流：即咪頭的工作電流

　　主要是 FET在 VSG=0時(shí)的電流，根據(jù) FET的分檔，可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對于工作電壓低、負(fù)載電阻大的情況下，對于工作電流就有嚴(yán)格的要求，由電原理圖可知

　　VS=VSD+ID×RL ID = (VS- VSD)/ RL

　　式中 ID FET 在 VSG等于零時(shí)的電流

　　RL為負(fù)載電阻

　　VSD,即 FET的 S與 D之間的電壓降

　　VS為標(biāo)準(zhǔn)工作電壓

　　總的要求 100μA〈IDS〈500μA

　　2、靈敏度：單位聲壓強(qiáng)下所能產(chǎn)生電壓大小的能力。

　　單位： V/Pa 或 dBV/Pa 有的公司使用是 dBV/μBar

　　-40 dBV/Pa=-60dBV/μBar

　　0 dBV/Pa=1V/Pa

　　聲壓強(qiáng) Pa=1N/m2

　　3、輸出阻抗：基本相當(dāng)于負(fù)載電阻 RL(1-70%) 間。

　　4、方向性及頻響特性曲線：

　　a、全向 : MIC 的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等，全向 MIC的結(jié)構(gòu)是 PCB上全部密封 ,因此,聲壓只有從 MIC的音孔進(jìn)入，因此是屬于壓強(qiáng)型傳聲器。

　　頻率特性圖：

　　b、單向 單向 MIC 具有方向性，如果 MIC 的音孔正對聲源時(shí)為 0度，那么在 0度時(shí)靈敏度最高， 180 度時(shí)靈敏度最低，在全方位上呈心型圖，單向 MIC 的結(jié)構(gòu)與全向 MIC 不同，它是在 PCB上開有一些孔，聲音可以從音孔和 PCB的開孔進(jìn)入，而且 MIC 的內(nèi)部還裝有吸音材料，因此是介于壓強(qiáng)和壓差之間的 MIC。
 

　　頻率特性圖：

　　c、消噪型：是屬于壓差式 MIC，它與單向 MIC不同之處在于內(nèi)部沒有吸音材料，它的方向型圖是一個(gè) 8字型

　　頻率特性：

　　5、頻率范圍：

　　全向： 50~12000Hz 20~16000Hz

　　單向： 100~12000Hz 100~16000Hz

　　消噪： 100~10000Hz

　　6、最大聲壓級 :是指 MIC的失真在 3%時(shí)的聲壓級 ,聲壓級定義 :20μpa=0dBSPL

　　MaxSPL為 115dBSPLA SPL 壓級 A為 A計(jì)權(quán)

　　7、S/N 信噪比：即 MIC 的靈敏度與在相同條件下傳聲器本身的噪聲之比，詳見產(chǎn)品手冊，噪聲主要是 FET本身的噪聲